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FET，MOSFET - 单个

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CTLDM8120-M621H BK

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
950mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
150 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
3.56nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
200pF @ 16V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TLM621H
封装/外壳
6-XFDFN 裸露焊盘
商品其它信息
优势价格，CTLDM8120-M621H BK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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