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FET，MOSFET - 单个

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IPD06P002NSAUMA1

制造商:Infineon Technologies
批号:最新
描述:MOSFET P-CH TO252-3
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	OptiMOS™
零件状态	停產
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	38 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	63nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2500pF @ 30V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO252-3-313
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

商品其它信息

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