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FET，MOSFET - 单个

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SIHB33N60E-GE3

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
*
零件状态
有源
FET 类型
-
技术
-
漏源电压（Vdss）
-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
-
供应商器件封装
-
封装/外壳
-
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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