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FET，MOSFET - 单个

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IRF6892STR1PBF

制造商:Infineon Technologies
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 25V 28A S3
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	HEXFET®
零件状态	停產
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	28A（Ta），125A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	1.7 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	25nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2510pF @ 13V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta），42W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DIRECTFET™ S3C
封装/外壳	DirectFET™ 等容 S3C

商品其它信息

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