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IRLHM620TR2PBF

制造商:Infineon Technologies
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
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参数信息

参数	参数值
包装	Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列	HEXFET®
零件状态	停產
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	26A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	26A（Ta），40A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	2.5 毫欧 @ 20A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	78nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	78nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3620pF @ 10V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PQFN（3x3）
封装/外壳	8-VQFN 裸露焊盘

商品其它信息

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