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FET，MOSFET - 单个

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IRFH5210TR2PBF

制造商:Infineon Technologies
批号:最新
描述:MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	HEXFET®
零件状态	停產
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	10A（Ta），55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10A（Ta），55A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	14.9 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	59nC @ 10V
Vgs（最大值）	59nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2570pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PQFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerVDFN

商品其它信息

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