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FET,MOSFET - 单个
SI7120DN-T1-GE3参考图片

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SI7120DN-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6.3A(Ta)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
19 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
45nC @ 10V
Vgs(最大值)
45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
45nC @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
商品其它信息
优势价格,SI7120DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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