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FET，MOSFET - 单个
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BSP149L6906HTSA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
SIPMOS®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
660mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.8 欧姆 @ 660mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 400µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
14nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
430pF @ 25V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
商品其它信息
优势价格，BSP149L6906HTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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