您好!欢迎来到赛美科芯城 登录 注册

产品分类

FET,MOSFET - 单个
IXFV26N60P参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

IXFV26N60P

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:48,067(价格仅供参考)
数量单价合计
暂无价格,请联系询价
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
PolarHV™
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
26A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
270 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
72nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4150pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
460W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PLUS220
封装/外壳
TO-220-3(SMT)标片
商品其它信息
优势价格,IXFV26N60P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23
暂无价格
参考库存:32644
EPC
FET,MOSFET - 单个
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
暂无价格
参考库存:1040146
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
暂无价格
参考库存:167648
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 200A
暂无价格
参考库存:10162
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
暂无价格
参考库存:17666
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市赛美科科技有限公司

电话:0755-28309323

手机:13480875861

传真:0755-28309323

Email:2885614195@qq.com

Q Q:

地址:深圳市龙岗区坂田街道光雅园商住区11栋908


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市赛美科科技有限公司 粤ICP备2020116496号