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FET，MOSFET - 单个

TK20G60W,RVQ参考图片

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TK20G60W,RVQ

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	DTMOSIV
零件状态	Digi-Key 停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	155 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.7V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	48nC @ 10V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1680pF @ 300V
FET 功能	超级结
功率耗散（最大值）	165W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D2PAK
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

商品其它信息

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