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FET,MOSFET - 单个
NVMFS5830NLT1G参考图片

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NVMFS5830NLT1G

  • ON Semiconductor
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  • MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
*
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
-
技术
-
漏源电压(Vdss)
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
-
Vgs(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-
安装类型
-
供应商器件封装
-
封装/外壳
-
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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