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FET，MOSFET - 单个
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HTNFET-T

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
HTMOS™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
400 毫欧 @ 100mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
4.3nC @ 5V
Vgs（最大值）
10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
290pF @ 28V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 225°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
4-电源接片
封装/外壳
4-SIP
商品其它信息
优势价格，HTNFET-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQ4431EY-T1_GE3
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