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FET，MOSFET - 单个
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BUK6D210-60EX

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • BUK6D210-60E/SOT1220/SOT1220
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.1A（Ta），5.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
210 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
3.8nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
110pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），15W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DFN2020MD-6
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
商品其它信息
优势价格，BUK6D210-60EX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AO4456
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:48243
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IXFN60N60
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MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
暂无价格
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IXTM40N30
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POWER MOSFET TO-3
暂无价格
参考库存:48267
IXTQ102N15T
IXYS
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暂无价格
参考库存:48275
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