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FET，MOSFET - 单个
SI8439DB-T1-E1参考图片

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SI8439DB-T1-E1

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
25 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
50nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
±5V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta），2.7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
4-Microfoot
封装/外壳
4-UFBGA
商品其它信息
优势价格，SI8439DB-T1-E1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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