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FET，MOSFET - 单个
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IPB60R080P7ATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
CoolMOS™ P7
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
80 毫欧 @ 11.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 590µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
51nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2180pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
129W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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