您好！欢迎来到赛美科芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
FET，MOSFET - 单个
SQS401ENW-T1_GE3参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

SQS401ENW-T1_GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *联系人：
  • *电话：
  • QQ：
  • *邮箱：
 公司名：  微信：
库存：37,949(价格仅供参考)
数量单价合计
暂无价格,请联系询价
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
29 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
21.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1875pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
商品其它信息
优势价格，SQS401ENW-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SPB04N60S5ATMA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
暂无价格
参考库存:30802
IRFS4227PBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
暂无价格
参考库存:30810
SPB80N03S2L-05 G
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
暂无价格
参考库存:30818
IRF6795MTR1PBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
暂无价格
参考库存:30826
IRL3714STRLPBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
暂无价格
参考库存:30834
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市赛美科科技有限公司

电话：0755-28309323

手机：13480875861

传真：0755-28309323

Email：2885614195@qq.com

Q Q：

地址：深圳市龙岗区坂田街道光雅园商住区11栋908


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市赛美科科技有限公司 粤ICP备2020116496号