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FET,MOSFET - 单个
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RTR025N05HZGTL

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参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
汽车级,AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
45V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
130 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
3.2nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
250pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TSMT3
封装/外壳
SC-96
商品其它信息
优势价格,RTR025N05HZGTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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