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FET,MOSFET - 单个
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RF4C100BCTCR

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • PCH -20V -10A MIDDLE POWER MOSFE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
15.6mOhm @ 10A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
23.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1660pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
HUML2020L8
封装/外壳
8-PowerUDFN
商品其它信息
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