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FET，MOSFET - 单个

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ZXM61P03FTA

制造商:Diodes Incorporated
批号:最新
描述:MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	350 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	4.8nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	140pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	625mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

商品其它信息

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